供應(yīng)

SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開發(fā)，具有著越的測(cè)量效率與可靠性。基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要，靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持蕞高1200V電壓、30A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量，同時(shí)檢測(cè)1kHz至2MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量。

SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開發(fā)的專用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件，支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作，能夠從測(cè)量設(shè)置、執(zhí)行、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過程，實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。詳詢一八一四零六六三四七六

產(chǎn)品特點(diǎn)

30μV-1200V，1pA-30A寬量程測(cè)試能力

測(cè)量精度高，蕞高可達(dá)0.1%

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便 ；

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取、 數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)

在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無需重新布線

供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集

典型應(yīng)用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導(dǎo)體材料/器件；

有機(jī)OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導(dǎo)體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量；

太陽能電池；

非易失性存儲(chǔ)設(shè)備；

失效分析；

系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格

主要性能指標(biāo)

低壓脈沖I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%

-直流、脈沖工作模式

-Z大電壓300V，Z大直流4A或脈沖30A可選

-最小電流分辨率1pA

-最小脈寬200μs

-四象限工作區(qū)間

-支持二線，四線制測(cè)試模式

-支持GUARD保護(hù)

高壓I-V源測(cè)量單元

-精度0.1%

-Z大電壓1200V，Z大直流100mA

-最小電流分辨率100pA

-支持二線、四線制測(cè)試模式

-支持GUARD保護(hù)

LCR表

-中速100ms模式下，基本精度可達(dá)0.05%

-測(cè)試頻率1kHz至2MHz

-支持高壓DC偏置，Z大偏置電壓1200V

-多功能AC性能測(cè)試，C-V、 C-f、 C-t

硬件指標(biāo)-IV測(cè)試

半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征，往往包括電特性參數(shù)測(cè)試。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測(cè)試，都包括電流-電壓(I-V)測(cè)量。源測(cè)量單元(SMU) ，具有四象限，多量程，支持四線測(cè)量等功能，可用于輸出與檢測(cè)高精度、微弱電信號(hào)，是半導(dǎo)體|-V特性測(cè)試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU，如低壓脈沖SMU，大電壓SMU等。用戶可根據(jù)測(cè)試需求靈活配置不同規(guī)格，以及不同數(shù)量的搭配，實(shí)現(xiàn)測(cè)試測(cè)試效率與開支的平衡。

靈活可定制化的夾具方案

針對(duì)市面上不同封裝類型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品，普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類豐富等特點(diǎn)，可用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC MOS等單管產(chǎn)品的測(cè)試，也可與探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試，太陽能電池片測(cè)試等。